热电材料CoSi和CrSi₂的晶格热膨胀性

何维^1,2，郭世平^1,2，王晓华^1,2，曾令民^1,2

1. 广西大学教育部有色金属材料及其加工新技术重点实验室2. 广西大学材料科学与工程学院

摘 要：利用动态高温X射线衍射技术分别对立方CoSi和六方CrSi2化合物在298⁹73 K温度范围内的晶格热膨胀性进行了研究。结果表明:化合物CoSi的点阵参数随温度升高呈线性增长关系,其平均线热膨胀系数aα和平均体热膨胀系数αV分别为1.14×10-5K-1和3.42×10-5K-1,两者之间符合立方晶系关系式,即3αa=αV;化合物CrSi2的点阵参数随温度升高而显著增大,其中沿a轴和c轴的平均线热膨胀系数及平均体热膨胀系数分别为αa=0.96×10-5K-1,cα=0.73×10-6K-1和αV=2.45×10-5K-1,三者之间符合六方晶系关系式,即2αa+cα=αV;化合物CrSi2沿a轴方向的线热膨胀系数远大于沿c轴方向的,呈较强的各向异性。

关键词：热电材料;点阵常数;晶格热膨胀性;高温X射线衍射;