不同铝源制备莫来石结合碳化硅多孔陶瓷及性能研究

刘鹏玮¹，蔡强¹，白成英¹，邓湘云^1,2，李建保^1,3，刘张敏¹，李誉¹，杨杰¹，朱飘¹

1. 海南大学材料与化工学院热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室硅锆钛资源综合开发与利用海南省重点实验室2. 天津师范大学物理与材料科学学院3. 清华大学材料科学与工程系

摘 要：以碳化硅(SiC)和不同铝源(多孔Al2O3/纳米Al2O3/Al(OH)3)为起始原料,通过原位反应结合工艺制备莫来石结合碳化硅多孔陶瓷。主要研究了不同铝源及温度对多孔陶瓷抗弯强度、气孔率、线性伸缩率等性能的影响,并采用XRD和SEM分析表征了样品的物相组成与断面形貌。结果表明:以多孔Al2O3为铝源,在1450℃下保温3h制备的碳化硅多孔陶瓷的综合性能最优,其强度为58 MPa,气孔率为41.9%;烧结温度对3种铝源所制备的多孔陶瓷具有相同的影响,随着温度的升高,强度逐渐升高,气孔率逐渐降低,线性收缩率逐渐增大。

关键词：碳化硅多孔陶瓷;铝源;莫来石;抗弯强度;气孔率;