无压烧结Si2N2O陶瓷的机械与介电性能
来源期刊:稀有金属材料与工程2011年第S1期
论文作者:林旭平 马景陶 谭威 张宝清
文章页码:211 - 214
关键词:氧氮化硅;介电性能;氮化硅;氧化硅;
摘 要:以Si3N4、SiO2为初始原料,以MgO、Al2O3为烧结助剂,在N2保护气氛下,通过无压烧结制备了致密的Si2N2O陶瓷。烧结后的产物主晶相为Si2N2O,并含有少量的β-Si3N4和玻璃相,β-Si3N4相随着初始原料Si3N4/SiO2摩尔比的增大而增加。初始原料中Si3N4/SiO2摩尔比为1时,烧结后样品的相对密度相对较高,可达98.3%,抗弯强度达293MPa。初始原料中Si3N4/SiO2摩尔比增大可降低制备的Si2N2O陶瓷的介质损耗,而介电常数主要与样品的相对密度有关。
林旭平,马景陶,谭威,张宝清
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室
摘 要:以Si3N4、SiO2为初始原料,以MgO、Al2O3为烧结助剂,在N2保护气氛下,通过无压烧结制备了致密的Si2N2O陶瓷。烧结后的产物主晶相为Si2N2O,并含有少量的β-Si3N4和玻璃相,β-Si3N4相随着初始原料Si3N4/SiO2摩尔比的增大而增加。初始原料中Si3N4/SiO2摩尔比为1时,烧结后样品的相对密度相对较高,可达98.3%,抗弯强度达293MPa。初始原料中Si3N4/SiO2摩尔比增大可降低制备的Si2N2O陶瓷的介质损耗,而介电常数主要与样品的相对密度有关。
关键词:氧氮化硅;介电性能;氮化硅;氧化硅;