磁控溅射制备低相转变温度氧化钒薄膜

来源期刊：金属功能材料2017年第3期

论文作者：李云龙 付花睿 张霄 周广迪 游才印 沈乾龙

文章页码：18 - 24

关键词：氧化钒薄膜;相转变温度;电阻温度系数(TCR);磁控溅射;

摘    要：采用直流反应磁控溅射法在不同氧分压气氛下制备了氧化钒薄膜,并进行后续真空退火处理。分别利用X-射线衍射仪,扫描电子显微镜和综合物性仪分析薄膜的相成分、表面形貌以及电性能。结果表明:随着氧分压的增加,450℃退火1h的薄膜逐渐由非晶态转变为VO₂（M）,VO₂（M,B）和V₆O₁₃的混合结构,并且晶化程度逐渐提高。氧分压6.67%的薄膜相转变温度（TMST）接近52℃,SEM分析表明,微裂纹的存在为相转变时应力释放提供空间,降低了TMST。氧分压10%的薄膜具有-2.38%/K的电阻温度系数（TCR）值和1.67×10⁴Ω的室温电阻值,满足制备非致冷红外探测器的要求。