掺钨VO2薄膜制备及其热致相变特性研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2008年第9期
论文作者：刘阳思 张玉波 涂铭旌 黄婉霞 张月 颜家振
关键词：钨掺杂; 相变温度; VO2薄膜; 光学性质;
摘 要：采用无机溶胶.凝胶法,以钨酸氨和V2O3的为原料在高温下共熔水淬实现钨掺杂,在云母片(001)表面制备W 掺杂VO2薄膜.采用AFM、XS、XPD分析了薄膜形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下的红外透过率,确定W掺杂薄膜的相变温度.结果表明,钨元素以W6+形式掺入VO2晶体,取代晶格中部分V原子.掺杂后VO2薄膜的半导体一金属相变温度明显下降,每掺入1%W6+,VO2薄膜相变温度下降19.8℃.当掺入W6+量为2.04%,其相变温度下降到28℃.
刘阳思1，张玉波1，涂铭旌1，黄婉霞1，张月1，颜家振1
(1.四川大学,四川,成都,610064)
摘要:采用无机溶胶.凝胶法,以钨酸氨和V2O3的为原料在高温下共熔水淬实现钨掺杂,在云母片(001)表面制备W 掺杂VO2薄膜.采用AFM、XS、XPD分析了薄膜形貌和微观结构,利用FTIR检测薄膜在不同温度下的红外透过率,确定W掺杂薄膜的相变温度.结果表明,钨元素以W6+形式掺入VO2晶体,取代晶格中部分V原子.掺杂后VO2薄膜的半导体一金属相变温度明显下降,每掺入1%W6+,VO2薄膜相变温度下降19.8℃.当掺入W6+量为2.04%,其相变温度下降到28℃.
关键词:钨掺杂; 相变温度; VO2薄膜; 光学性质;
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