化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜的研究现状

张敏刚¹，柴跃生¹，孙钢¹，马志华¹

(1.太原科技大学,山西,太原,030024;
2.中科院,固体物理研究所,安徽,合肥,230031;
3.上海大学,上海,200072)

摘要:半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜具备准零维量子点的特征,这类材料具有三阶光学非线性系数大,响应快,功耗低等特点,在光开关、光存储及全光逻辑运算等领域有着广阔的应用前景.对半导体/介质镶嵌纳米复合薄膜的主要制备方法-射频磁控共溅射法的基本原理及技术特点作了概要介绍.从镶嵌于介质中半导体纳米颗粒非线性光学性质的研究动态入手,分类评述了化合物半导体/SiO2纳米复合薄膜近年来的研究状况,指出了这类复合薄膜的研究重点和发展方向.

关键词:化合物半导体; 镶嵌纳米薄膜; 射频磁控溅射; 非线性光学性质;

【全文内容正在添加中】