MOCVD法在MgO(100)衬底上生长m面ZnMgO薄膜
来源期刊:材料科学与工程学报2013年第2期
论文作者:张亚琳 黄靖云 吴科伟 卢洋藩 叶志镇
文章页码:195 - 405
关键词:ZnMgO;m面;金属有机化学气相沉积(MOCVD);
摘 要:本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010)ZnMgO薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)观察到ZnMgO薄膜表面平整,由条纹状结构组成。透射电子显微镜(TEM)分析进一步证明ZnMgO为具有m面取向的单晶薄膜。X射线光电子能谱(XPS)定量分析表明ZnMgO薄膜中Mg含量为3at.%。
张亚琳,黄靖云,吴科伟,卢洋藩,叶志镇
浙江大学硅材料国家重点实验室
摘 要:本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)法在MgO(100)衬底上成功生长了非极性的m面(1010)ZnMgO薄膜。研究了衬底温度对ZnMgO薄膜生长取向的影响。X射线衍射(XRD)分析结果表明当衬底温度为400℃时可以获得单一取向的m面ZnMgO薄膜。采用扫描电子显微镜(SEM)观察到ZnMgO薄膜表面平整,由条纹状结构组成。透射电子显微镜(TEM)分析进一步证明ZnMgO为具有m面取向的单晶薄膜。X射线光电子能谱(XPS)定量分析表明ZnMgO薄膜中Mg含量为3at.%。
关键词:ZnMgO;m面;金属有机化学气相沉积(MOCVD);