添加SeO2对电沉积纳米晶Cu的影响
来源期刊：材料保护2007年第8期
论文作者：江中浩 张含卓 连建设
关键词：SeO2; 电沉积; 纳米晶; 铜; 形貌; 微观结构; 显微硬度;
摘 要：采用扫描电镜、X射线衍射等方法,研究了SeO2作为添加剂对直流电沉积纳米晶Cu表面形貌、微观结构和硬度的影响.结果表明,加入O.02 g/L SeO2可使沉积层表面平整致密,沉积Cu层的(111)晶面择优取向程度上升,晶粒尺寸减小至27.9 nm左右,显微硬度升至277 HV,约为粗晶铜硬度的6倍.
江中浩1，张含卓1，连建设1
(1.吉林大学,汽车材料教育部重点实验室,吉林,长春,130025)
摘要:采用扫描电镜、X射线衍射等方法,研究了SeO2作为添加剂对直流电沉积纳米晶Cu表面形貌、微观结构和硬度的影响.结果表明,加入O.02 g/L SeO2可使沉积层表面平整致密,沉积Cu层的(111)晶面择优取向程度上升,晶粒尺寸减小至27.9 nm左右,显微硬度升至277 HV,约为粗晶铜硬度的6倍.
关键词:SeO2; 电沉积; 纳米晶; 铜; 形貌; 微观结构; 显微硬度;
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