化合物半导体光伏电池研究进展

来源期刊：世界有色金属2000年第8期

论文作者：邓志杰 王雁

文章页码：4 - 6

关键词：光伏;太阳电池;铜铟(镓)硒;碲化镉;砷化镓;转换效率;

摘    要：综述了化合物半导体材料制备的太阳电池及组件的研究、开发进展。这些材料包括铜铟 （镓 ）硒（CuIn（Ga）Se2 ）、碲化镉 （CdTe）和Ⅲ -V族化合物。就光伏应用的要求而论 ,这些材料比晶体硅 （c -Si）更为合适 ;这主要是由于 :化合物半导体材料的带隙Eg约 1 40eV（而Si的Eg为 1 1eV） ,且为直接跃迁 （Si为间接跃迁 ） ,从而所制电池与太阳光谱更匹配、对阳光吸收系数更大 ,使得这些材料适合制作薄膜电池 ,电池厚度 2～3μm即可 ;而c -Si电池厚度一般在 2 0 0 μm以上。目前 ,这些化合物电池转换效率的最高值已达 1 8 8%（CIGS）、1 6% （CdTe）和 30 2 8% （InGaP/GaAs）。最后 ,简要介绍了我国在所述PV电池方面的研究现状。