C波段单片低功耗低噪声放大器
来源期刊：稀有金属2004年第6期
论文作者：魏同立 林金庭 彭龙新 李建平
关键词：微波单片集成电路; 低功耗; 赝配高电子迁移率晶体管; 低噪声放大器;
摘 要：报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波＜2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.
摘要：报道了一种新型的C波段0.5μm PHEMT单片低功耗低噪声放大器.该放大器由三级级联构成,采用电流回收技术,实现了低功耗的目的.芯片面积为2.1×1.8 mm2,直流功耗为125 mW(VD=5 V,ID≤25 mA).封装后测试结果为:在C波段,带宽1.1 GHz,增益＞25.7dB,增益平坦度≤±0.6dB,噪声系数≤1.72dB,输入、输出电压驻波＜2:1;带内最小噪声系数为1.61dB,相关增益为26.3dB.测量结果与设计符合得较好.
关键词：微波单片集成电路; 低功耗; 赝配高电子迁移率晶体管; 低噪声放大器;
Abstract:
Key words:
