电子强关联对LaMnO3电子结构的影响
来源期刊：材料科学与工程学报2009年第4期
论文作者：耿滔 庄松林
文章页码：558 - 560
关键词：LaMnO3;电子强关联;密度泛函;
摘 要：本文利用密度泛函对LaMnO3的电子结构进行了计算。结果表明,LaMnO3反铁磁绝缘基态的形成主要依赖于Jahn-Teller畸变而不是电子强关联,但电子强关联效应对LaMnO3电子结构的影响巨大。为了获得正确的结果,本文计算时考虑了适当的电子强关联修正。通过分析比较,表明在位的库仑能U取3.5eV是一个合理的选择。
耿滔1,2，庄松林2
1. 上海理工大学理学院2. 上海市现代光学系统重点实验室
摘 要：本文利用密度泛函对LaMnO3的电子结构进行了计算。结果表明,LaMnO3反铁磁绝缘基态的形成主要依赖于Jahn-Teller畸变而不是电子强关联,但电子强关联效应对LaMnO3电子结构的影响巨大。为了获得正确的结果,本文计算时考虑了适当的电子强关联修正。通过分析比较,表明在位的库仑能U取3.5eV是一个合理的选择。
关键词：LaMnO3;电子强关联;密度泛函;
