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晶粒尺寸对CVD金刚石膜电学特性的影响

来源期刊:功能材料与器件学报2006年第4期

论文作者:夏义本 史伟民 苏青峰 蒋丽雯 王林军 崔江涛 阮建锋

关键词:金刚石膜; 电学特性; 晶粒尺寸; HFCVD;

摘    要:通过改变生长参数,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备了从10μm到90nm四种晶粒尺寸的金刚石膜,并制作了三明治结构的光电导探测器.采用原子力显微镜和拉曼光谱仪研究了薄膜的结构和表面形貌:表面粗糙度从423nm变化到15nm;晶粒越大,金刚石膜的质量越好.I-V特性测试结果表明随着晶粒尺寸的减小,金刚石膜的电阻率从1011Ω·cm减小到106Ω·cm.在5.9 keV的55Fe X射线辐照下,随着晶粒尺寸的减小,探测器的信噪比(SNR)呈减小趋势.

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晶粒尺寸对CVD金刚石膜电学特性的影响

夏义本1,史伟民1,苏青峰1,蒋丽雯1,王林军1,崔江涛1,阮建锋1

(1.上海大学材料科学与工程学院,上海,200072)

摘要:通过改变生长参数,采用热丝化学气相沉积(HFCVD)法制备了从10μm到90nm四种晶粒尺寸的金刚石膜,并制作了三明治结构的光电导探测器.采用原子力显微镜和拉曼光谱仪研究了薄膜的结构和表面形貌:表面粗糙度从423nm变化到15nm;晶粒越大,金刚石膜的质量越好.I-V特性测试结果表明随着晶粒尺寸的减小,金刚石膜的电阻率从1011Ω·cm减小到106Ω·cm.在5.9 keV的55Fe X射线辐照下,随着晶粒尺寸的减小,探测器的信噪比(SNR)呈减小趋势.

关键词:金刚石膜; 电学特性; 晶粒尺寸; HFCVD;

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