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原子层淀积制备金属氧化物薄膜研究进展

来源期刊：功能材料2005年第6期

论文作者：张卫徐敏陈玮张剑云任杰卢红亮王季陶

关键词：原子层淀积(ALD); 金属氧化物薄膜; 高k材料;

摘要：原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景.本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展.

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张卫¹，徐敏¹，陈玮¹，张剑云¹，任杰¹，卢红亮¹，王季陶¹

(1.复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433)

摘要:原子层淀积(ALD)技术作为一种先进的薄膜制备方法近年来越来越得到重视,它能精确地控制薄膜的厚度和组分,实现原子层级的生长,生长的薄膜具有很好的均匀性和保形性,因而在微电子和光电子等领域有广泛的应用前景.本文综述了ALD技术的基本原理,及其在金属氧化物薄膜制备上的研究进展.

关键词:原子层淀积(ALD); 金属氧化物薄膜; 高k材料;

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