PbSe单晶薄膜的分子束外延及其表面微结构

斯剑霄¹，吴惠桢¹，徐天宁¹，黄占超²，曹春芳¹

(1.浙江大学物理系,杭州,310027;
2.中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海,20005)

摘要:用分子束外延技术在BaF2(111)衬底上生长了PbSe单晶薄膜,观测了表面形貌和微结构.结果表明,在高Se/PbSe束流比(≥0.4)条件下,PbSe按照二维层状模式生长,外延层中的应力通过位错滑移发生塑性形变而获得充分弛豫,获得的PbSe薄膜是具有单原子层平整度的表面台阶和螺旋结构;降低Se/PbSe束流比至0.2,首次在PbSe样品表面观察到规则的三角形纳米孔状结构;当Se/PbSe束流比为0时,PbSe薄膜表面出现三维岛状结构,应力只能得到部分弛豫.在BaF2(111)衬底上分子束外延生长PbSe单晶薄膜的最佳温度为450℃.

关键词:无机非金属材料; PbSe单晶薄膜; 分子束外延; 应变弛豫; 螺旋结构;

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