P型单晶硅片在KOH溶液中腐蚀行为的电化学研究
来源期刊：材料工程2008年第10期
论文作者：张晓伟 喻振兴 邱冠周 宋晓岚 徐大余
关键词：P型单晶硅片; 腐蚀行为; 极化曲线; 缝隙腐蚀;
摘 要：采用电化学极化测量技术研究了p(100)和p(111)硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为,考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响.结果表明:在室温下当KOH浓度为5～6 mol/L时硅片腐蚀速率最大;随着KOH腐蚀液温度增加,腐蚀速率增大,在50℃左右腐蚀速率增加显著;硅片表面缝隙会加剧硅的局部腐蚀,在同等实验条件下缝隙腐蚀速率比均匀腐蚀快一个数量级.
张晓伟1，喻振兴1，邱冠周1，宋晓岚1，徐大余1
(1.中南大学,资源加工与生物工程学院,长沙410083)
摘要:采用电化学极化测量技术研究了p(100)和p(111)硅片在碱性KOH溶液中的腐蚀行为,考察了KOH溶液浓度、温度和硅片表面缝隙等因素对腐蚀行为的影响.结果表明:在室温下当KOH浓度为5～6 mol/L时硅片腐蚀速率最大;随着KOH腐蚀液温度增加,腐蚀速率增大,在50℃左右腐蚀速率增加显著;硅片表面缝隙会加剧硅的局部腐蚀,在同等实验条件下缝隙腐蚀速率比均匀腐蚀快一个数量级.
关键词:P型单晶硅片; 腐蚀行为; 极化曲线; 缝隙腐蚀;
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