氧化钇含量对氧化锆陶瓷微波介电性能的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第3期
论文作者：李鹏 罗发 朱冬梅 王晓艳 周万城
关键词：微波介电; YSZ; 损耗; microwave dielectric; YSZ; loss;
摘 要：研究了Y2O3含量对钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷微波介电性能的影响.通过热压烧结方法制备了YSZ陶瓷,对材料进行了X射线衍射分析和复介电常数测量.结果表明,当Y2O3含量从2%(摩尔分数)增加到12%时,复介电常数实部在19.49到23.39之间变化.当Y2O3含量为6%时,微波损耗达到最大值0.0789.对YSZ陶瓷的微波损耗机理进行了详细探讨,由于氧离子空位随交变电场的震动和移动而产生的漏导电流是电磁波损耗的主要原因.
李鹏1，罗发1，朱冬梅1，王晓艳1，周万城1
(1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072)
摘要:研究了Y2O3含量对钇稳定氧化锆(YSZ)陶瓷微波介电性能的影响.通过热压烧结方法制备了YSZ陶瓷,对材料进行了X射线衍射分析和复介电常数测量.结果表明,当Y2O3含量从2%(摩尔分数)增加到12%时,复介电常数实部在19.49到23.39之间变化.当Y2O3含量为6%时,微波损耗达到最大值0.0789.对YSZ陶瓷的微波损耗机理进行了详细探讨,由于氧离子空位随交变电场的震动和移动而产生的漏导电流是电磁波损耗的主要原因.
关键词:微波介电; YSZ; 损耗; microwave dielectric; YSZ; loss;
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