衬底负偏压对溅射Ta2O5薄膜晶化温度及介电性能的影响
来源期刊：无机材料学报2004年第3期
论文作者：朱满康 许仕龙 严辉 黄安平 王波
关键词：Ta2O5; 介电薄膜; 晶化温度; 衬底负偏压;
摘 要：采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性.同时,C-V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.
朱满康1，许仕龙1，严辉1，黄安平1，王波1
(1.北京工业大学新型功能材料教育部重点实验室,北京,100022)
摘要:采用磁控溅射法,在衬底温度为620°C时,通过引入合适的衬底负偏压(100～200V),获得了结晶良好的Ta2O5薄膜.衬底负偏压增强了正离子对衬底表面的轰击作用,加速了其在衬底表面的松弛扩散效应,从而降低了Ta2O5薄膜的晶化温度,改善了其结晶性.同时,C-V测试结果表明:衬底负偏压进一步改善了Ta2O5薄膜的介电性能.
关键词:Ta2O5; 介电薄膜; 晶化温度; 衬底负偏压;
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