聚硅氧烷的交联与裂解陶瓷化研究
来源期刊：高分子材料科学与工程2005年第2期
论文作者：郑文伟 陈朝辉 马青松
关键词：聚硅氧烷; 交联; 裂解; 陶瓷先驱体;
摘 要：研究了含氢聚硅氧烷(HPSO)与二乙烯基苯(DVB)的交联与裂解行为.结果表明,氯铂酸能有效催化两者之间的交联反应.DVB/HPSO质量比例对交联程度和陶瓷产率有明显影响.催化剂的含量为11.31×10-6、m(DVB)/m(HPSO)=0.5∶1的体系在120 ℃交联6 h后达到完全交联状态.1000 ℃时裂解完全,陶瓷产率76%,产物组成为38.33%Si、27.33%O、34.34%C.DVB/HPSO的裂解陶瓷化主要发生在370 ℃～800 ℃范围内,分为两个阶段.第一阶段在420 ℃～610 ℃区间,裂解活化能为208.38 kJ/mol,由随机成核步骤控制裂解反应.第二阶段在620 ℃～800 ℃区间内,裂解活化能为339.89 kJ/mol,由一维扩散步骤控制裂解反应.
郑文伟1，陈朝辉1，马青松1
(1.国防科技大学新型陶瓷纤维及复合材料国防科技重点实验室,湖南,长沙,410073)
摘要:研究了含氢聚硅氧烷(HPSO)与二乙烯基苯(DVB)的交联与裂解行为.结果表明,氯铂酸能有效催化两者之间的交联反应.DVB/HPSO质量比例对交联程度和陶瓷产率有明显影响.催化剂的含量为11.31×10-6、m(DVB)/m(HPSO)=0.5∶1的体系在120 ℃交联6 h后达到完全交联状态.1000 ℃时裂解完全,陶瓷产率76%,产物组成为38.33%Si、27.33%O、34.34%C.DVB/HPSO的裂解陶瓷化主要发生在370 ℃～800 ℃范围内,分为两个阶段.第一阶段在420 ℃～610 ℃区间,裂解活化能为208.38 kJ/mol,由随机成核步骤控制裂解反应.第二阶段在620 ℃～800 ℃区间内,裂解活化能为339.89 kJ/mol,由一维扩散步骤控制裂解反应.
关键词:聚硅氧烷; 交联; 裂解; 陶瓷先驱体;
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