薄规格取向硅钢二次再结晶过程中Goss织构演变的Monte Carlo模拟

马光¹，陈新¹，卢理成²，信冬群³，孟利⁴，王浩³，程灵¹，杨富尧¹

1. 全球能源互联网研究院电工新材料研究所2. 国家电网公司3. 北京科技大学材料科学与工程学院4. 钢铁研究总院

摘 要：通过EBSD实验获取了薄规格取向硅钢(0.18mm厚)初次再结晶样品表面晶粒组织的取向数据,并以此构建模拟的初始组织。采用Potts模型Monte Carlo方法对薄规格取向硅钢初次再结晶样品的二次再结晶过程进行了模拟仿真,研究了表面能对Goss织构演变的影响。模拟结果表明:Goss取向晶粒与相邻晶粒的表面能差是Goss取向晶粒异常长大的重要驱动力;表面能差存在一个临界值(约12%),只有当表面能差大于此临界值时才会发生表面能驱动Goss取向晶粒的异常长大。

关键词：薄规格;取向硅钢;Monte Carlo模拟;Goss织构;