晶须掺杂交联聚苯乙烯复合材料的制备及沿面闪络性能研究
来源期刊：绝缘材料2020年第7期
论文作者：刘文元 赵小什 段荔 柯昌凤 霍艳坤 陈昌华
文章页码：18 - 22
关键词：真空沿面闪络;氧化锌晶须;硫酸镁晶须;交联聚苯乙烯;
摘 要：以交联聚苯乙烯（CLPS）为基体,分别用四针状氧化锌（T-ZnO）晶须和碱式硫酸镁（MOS）晶须掺杂改性,制备了两类晶须/交联聚苯乙烯复合材料。研究了晶须掺杂对复合材料结构、表面电阻率及真空沿面闪络性能的影响。结果表明:T-ZnO晶须的加入降低了复合材料的表面电阻率,而MOS晶须的加入对复合材料的表面电阻率几乎没有影响;当MOS晶须质量分数为2%时,复合材料的真空沿面闪络击穿电压较CLPS提升了40%,而T-ZnO晶须的加入降低了复合材料的真空沿面闪络电压。
刘文元1，赵小什2，段荔1，柯昌凤1，霍艳坤1，陈昌华1
1. 西北核技术研究所2. 湘潭大学
摘 要：以交联聚苯乙烯（CLPS）为基体,分别用四针状氧化锌（T-ZnO）晶须和碱式硫酸镁（MOS）晶须掺杂改性,制备了两类晶须/交联聚苯乙烯复合材料。研究了晶须掺杂对复合材料结构、表面电阻率及真空沿面闪络性能的影响。结果表明:T-ZnO晶须的加入降低了复合材料的表面电阻率,而MOS晶须的加入对复合材料的表面电阻率几乎没有影响;当MOS晶须质量分数为2%时,复合材料的真空沿面闪络击穿电压较CLPS提升了40%,而T-ZnO晶须的加入降低了复合材料的真空沿面闪络电压。
关键词：真空沿面闪络;氧化锌晶须;硫酸镁晶须;交联聚苯乙烯;
