不同退火温度下Zn0.96Co0.04O薄膜的磁性研究
来源期刊：材料导报2011年第S1期
论文作者：刘永刚 杨东洋
文章页码：91 - 204
关键词：Zn0.96Co0.04O稀磁半导体薄膜;高温退火;磁性;
摘 要：通过对磁控溅射方法制备的Zn0.96Co0.04O薄膜退火前后结构和磁性的研究发现,Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置,形成稀磁半导体结构,显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位,提高BMP之间发生交叠的几率,从而使磁矩增大。因此可以认为氧空位是产生磁性的必要条件,其磁性来源机制符合J.M.D.Coey的BMP模型。
刘永刚，杨东洋
中国地质大学(北京)地球物理与信息技术学院
摘 要：通过对磁控溅射方法制备的Zn0.96Co0.04O薄膜退火前后结构和磁性的研究发现,Co进入ZnO的晶格中并取代了Zn的位置,形成稀磁半导体结构,显示了室温铁磁性。后期真空退火可以产生更多的氧空位,提高BMP之间发生交叠的几率,从而使磁矩增大。因此可以认为氧空位是产生磁性的必要条件,其磁性来源机制符合J.M.D.Coey的BMP模型。
关键词：Zn0.96Co0.04O稀磁半导体薄膜;高温退火;磁性;
