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植布法制备镍基碳纳米管场发射阴极及其性能研究

来源期刊:功能材料2011年第11期

论文作者:崔雪梅 王艳 邓敏 丁桂甫

文章页码:1972 - 1976

关键词:碳纳米管;聚酰亚胺;场发射阴极;场发射性能;植布法;

摘    要:提出了一种新型的制备碳纳米管场发射阴极的方法———植布法,详细描述了植布法工艺,并用扫描电镜观察植布法得到的样品的表面形态,讨论了球磨工艺、碳管和聚合物分散剂不同质量配比,及聚合物介质刻蚀时间的长短对最终场发射阴极性能的影响。实验表明植布法制备的场发射阴极具有良好的场发射性能,如低的开启电压(约为1.7V/μm),高的电流密度(在3.6V/μm下,电流密度可以达到26mA/cm2)。该方法结合了传统直接生长和丝网印刷法制备碳纳米管阴极的优点,实现了碳纳米管与金属基底可靠结合的结构,广泛适用于以该结构作为核心功能单元的器件。

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植布法制备镍基碳纳米管场发射阴极及其性能研究

崔雪梅,王艳,邓敏,丁桂甫

上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家级重点实验室

摘 要:提出了一种新型的制备碳纳米管场发射阴极的方法———植布法,详细描述了植布法工艺,并用扫描电镜观察植布法得到的样品的表面形态,讨论了球磨工艺、碳管和聚合物分散剂不同质量配比,及聚合物介质刻蚀时间的长短对最终场发射阴极性能的影响。实验表明植布法制备的场发射阴极具有良好的场发射性能,如低的开启电压(约为1.7V/μm),高的电流密度(在3.6V/μm下,电流密度可以达到26mA/cm2)。该方法结合了传统直接生长和丝网印刷法制备碳纳米管阴极的优点,实现了碳纳米管与金属基底可靠结合的结构,广泛适用于以该结构作为核心功能单元的器件。

关键词:碳纳米管;聚酰亚胺;场发射阴极;场发射性能;植布法;

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