简介概要

W/WO2.72一维纳米异质结构的合成及生长机理

来源期刊:粉末冶金材料科学与工程2013年第5期

论文作者:党丁盈 刘新利 伍镭 赵耀 贺跃辉

文章页码:627 - 630

关键词:异质结构;W晶须;WO2.72纳米线;

摘    要:以WO3粉末为原料,通过两步气相沉积法在硅基底上制备W/WO2.72一维纳米异质结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及X射线衍射分析(XRD)等检测手段对制备出的W/WO2.72异质结构进行形貌、结构和物相的分析表征。结果表明:异质结构的主干W晶须沿[110]方向生长,长10~25μm、直径200~500 nm,分支WO2.72纳米线沿径向竖直分布在W晶须轴上并沿[010]方向生长,直径20~50 nm。该异质结构因其独特的组成和结构可用于超高灵敏性传感器和场发射设备。

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W/WO2.72一维纳米异质结构的合成及生长机理

党丁盈,刘新利,伍镭,赵耀,贺跃辉

中南大学粉末冶金国家重点实验室

摘 要:以WO3粉末为原料,通过两步气相沉积法在硅基底上制备W/WO2.72一维纳米异质结构。采用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)及X射线衍射分析(XRD)等检测手段对制备出的W/WO2.72异质结构进行形貌、结构和物相的分析表征。结果表明:异质结构的主干W晶须沿[110]方向生长,长10~25μm、直径200~500 nm,分支WO2.72纳米线沿径向竖直分布在W晶须轴上并沿[010]方向生长,直径20~50 nm。该异质结构因其独特的组成和结构可用于超高灵敏性传感器和场发射设备。

关键词:异质结构;W晶须;WO2.72纳米线;

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