Sol-Gel工艺Si基Bi4 Ti3 O12铁电薄膜制备与晶相结构研究
来源期刊：材料科学与工程学报2002年第4期
论文作者：王耘波 于军 王华 秦冬成
关键词：Sol-Gel法; 铁电薄膜; 晶相结构; 制备工艺;
摘 要：采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4TiO12铁电薄膜.研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响.研究表明,退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长;退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显;薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结构的影响不大.
王耘波1，于军1，王华2，秦冬成2
(1.华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;
2.桂林电子工业学院通信与信息工程系,广西,桂林,541004)
摘要:采用Sol-Gel工艺制备了Si基Bi4TiO12铁电薄膜.研究了退火温度、退火时间、薄膜厚度等对薄膜晶相结构的影响.研究表明,退火温度对Si基Bi4Ti3O12铁电薄膜晶相结构的影响最为显著,而且随退火温度升高,Bi4Ti3O12薄膜更趋向于沿c-轴取向的生长;退火时间在30分钟内对薄膜晶相结构的影响比较明显;薄膜厚度及30分钟以上的退火处理对薄膜晶相结构的影响不大.
关键词:Sol-Gel法; 铁电薄膜; 晶相结构; 制备工艺;
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