铝基板上沉积氮化铝薄膜的制备及特性分析
来源期刊：材料热处理学报2008年第4期
论文作者：刘文 李华平
关键词：氮化铝; 反应磁控溅射; X射线衍射; 化学计量比; 击穿场强; 结合力;
摘 要：采用直流反应磁控溅射方法,在铝基板上制备了AIN薄膜.利用X射线衍射仪、带能量色散谱仪的扫描电子显微镜、阻抗特性测试仪、椭圆偏振光谱仪、大荷载划痕仪等对薄膜特性进行测试,分析了不同溅射工艺条件对生长薄膜的影响.结果表明,获得了化学计量比一致、结合力良好、击穿场强达112V/μm的(100)多晶择优取向AIN薄膜.
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摘要:采用直流反应磁控溅射方法,在铝基板上制备了AIN薄膜.利用X射线衍射仪、带能量色散谱仪的扫描电子显微镜、阻抗特性测试仪、椭圆偏振光谱仪、大荷载划痕仪等对薄膜特性进行测试,分析了不同溅射工艺条件对生长薄膜的影响.结果表明,获得了化学计量比一致、结合力良好、击穿场强达112V/μm的(100)多晶择优取向AIN薄膜.
关键词:氮化铝; 反应磁控溅射; X射线衍射; 化学计量比; 击穿场强; 结合力;
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