压力对热丝化学气相沉积的CH4/H2/Ar气氛中的纳米金刚石薄膜生长的影响
来源期刊：功能材料与器件学报2009年第4期
论文作者：周兴泰 巩金龙 朱德彰 贺周同 杨树敏
关键词：纳米金刚石薄膜; 热丝化学气相沉积; 压力; Ar浓度; nanoerystalline diamond films; HFCVD; pressure; Ar concentration;
摘 要：在热丝化学气相沉积体系中,系统研究了气压对CH4/H2/Ar气氛中纳米金刚石薄膜生长的影响.研究发现,体系气压对纳米金刚石的生长有很大的影响.在40torr的气压下,在CH4/H2/Ar气氛中的Ar气含量需高达90%才能保证纳米金刚石薄膜的生长,但降低气压至5torr时,50%的Ar气含量即可保证纳米金刚石薄膜的生长.压力对薄膜生长表面的气体浓度的影响是这个转变的主要原因.在同样的Ar含量下,在5torr下的C2活性基团的浓度高于40 torr的浓度,因而低的Ar含量会保证纳米金刚石薄膜的生长.
周兴泰1，巩金龙1，朱德彰1，贺周同1，杨树敏1
(1.上海应用物理研究所,中国科学院,上海,201800;
2.中国科学院研究生院,北京,100049)
摘要:在热丝化学气相沉积体系中,系统研究了气压对CH4/H2/Ar气氛中纳米金刚石薄膜生长的影响.研究发现,体系气压对纳米金刚石的生长有很大的影响.在40torr的气压下,在CH4/H2/Ar气氛中的Ar气含量需高达90%才能保证纳米金刚石薄膜的生长,但降低气压至5torr时,50%的Ar气含量即可保证纳米金刚石薄膜的生长.压力对薄膜生长表面的气体浓度的影响是这个转变的主要原因.在同样的Ar含量下,在5torr下的C2活性基团的浓度高于40 torr的浓度,因而低的Ar含量会保证纳米金刚石薄膜的生长.
关键词:纳米金刚石薄膜; 热丝化学气相沉积; 压力; Ar浓度; nanoerystalline diamond films; HFCVD; pressure; Ar concentration;
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