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硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响

来源期刊：功能材料2005年第10期

论文作者：顾庆天王圣来孙洵王坤鹏房昌水李云南李毅平王波刘冰张建芹

关键词：硫酸根; KDP晶体; 晶体生长; 快速生长;

摘要：SO2-4是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和"点籽晶"快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长.实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生"楔化".

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顾庆天¹，王圣来¹，孙洵¹，王坤鹏¹，房昌水¹，李云南¹，李毅平¹，王波¹，刘冰¹，张建芹¹

(1.山东大学,晶体材料国家重点实验室,山东,济南,250100)

摘要:SO2-4是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和"点籽晶"快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长.实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生"楔化".

关键词:硫酸根; KDP晶体; 晶体生长; 快速生长;

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