真空热沉积过程中有机薄膜生长的模拟研究

胡琛¹，杨刚¹，陈文彬¹，骆开均²

1. 电子科技大学光电信息学院四川省显示科学与技术重点实验室2. 四川师范大学化学与材料学院

摘 要：利用Monte Carlo方法对真空蒸发系统下的有机薄膜生长过程进行了模拟。在该系统模型中,Ns个点蒸发源均匀分布在半径为R的圆周上,基板相对蒸发源所在平面距离为d。利用该模型分析了膜厚分布以及点蒸发源个数Ns、蒸发源与基板的相对位置R和d对薄膜厚度均匀性的影响,并通过实验对仿真结果进行了验证。结果显示,增加蒸发源个数、增大相对基板位置均可以有效提高薄膜的均匀性,测试发现薄膜样品的精度Max-Min均保持在5%左右。

关键词：有机薄膜;均匀性;蒙特卡洛;真空蒸镀;