氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响

来源期刊：材料导报2015年第18期

论文作者：来国红 余志强 张昌华 廖红华

文章页码：152 - 314

关键词：第一性原理;单层二硫化钼;电子结构;光电性质;

摘    要：基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了氧和硒掺杂对单层二硫化钼电子结构与光电性质的影响。结果表明,单层二硫化钼属于直接带隙半导体,其带隙宽度为1.64eV。单层二硫化钼的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;同时通过氧和硒掺杂,使单层二硫化钼的禁带宽度变窄,光吸收特性增强,研究结果为二硫化钼在光电器件方面的应用提供了理论基础。