NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐体系电沉积渗硅的研究
来源期刊：有色金属(冶炼部分)2014年第11期
论文作者：何小凤 李运刚 李智慧
文章页码：21 - 83
关键词：NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐体系;电沉积;Si;Mo-MoSi2梯度材料;
摘 要：在KCl-NaCl-NaF-（SiO2）熔盐体系中,以钼为基体,以电沉积法得到的硅为硅源,在电沉积硅的同时进行渗硅,成功制备了Mo-MoSi2梯度材料。考察了电沉积给电方式、电流密度、温度、时间和脉冲形式对沉积扩散层表面形貌、相结构、断面厚度以及硅含量分布的影响。结果表明,脉冲给电比直流给电的沉积效果好。合适的脉冲沉积参数为:电流密度7501 000A/cm2、温度800850℃、t1/t2=0.71.5、沉积时间120180min。
何小凤，李运刚，李智慧
河北联合大学
摘 要：在KCl-NaCl-NaF-（SiO2）熔盐体系中,以钼为基体,以电沉积法得到的硅为硅源,在电沉积硅的同时进行渗硅,成功制备了Mo-MoSi2梯度材料。考察了电沉积给电方式、电流密度、温度、时间和脉冲形式对沉积扩散层表面形貌、相结构、断面厚度以及硅含量分布的影响。结果表明,脉冲给电比直流给电的沉积效果好。合适的脉冲沉积参数为:电流密度7501 000A/cm2、温度800850℃、t1/t2=0.71.5、沉积时间120180min。
关键词：NaCl-KCl-NaF-SiO2熔盐体系;电沉积;Si;Mo-MoSi2梯度材料;
