组合掺杂对低温烧结NiZn功率铁氧体功耗特性的影响
来源期刊:磁性材料及器件2015年第6期
论文作者:刘兴 王升 张鑫
文章页码:54 - 59
关键词:NiZn功率铁氧体;掺杂;低温烧结;功耗;
摘 要:采用陶瓷工艺制备低温烧结Ni Zn软磁铁氧体材料,研究了掺杂Co2O3、Cu O、Bi2O3、V2O5、Si O2等对材料烧结温度及主要磁性能如磁导率、功耗等的影响。结果表明,Bi2O3对降低材料烧结温度有益但对功耗改善无益,Si O2对功耗改善有益但效果不明显,而组合添加0.15mol%Co2O3、9.0mol%Cu O、0.400.50wt%V2O5不仅可达到大幅度降低材料功率损耗,改善功耗特性,而且可保证材料低温烧结和其它优良磁性能,并获得具有低温烧结(烧结温度900℃左右)、低功耗(功率损耗Pcv≤300k W/m3(20℃,1MHz,30m T))、适于LTCF工艺和片式功率器件应用的Ni Zn功率铁氧体材料。
刘兴,王升,张鑫
西南应用磁学研究所
摘 要:采用陶瓷工艺制备低温烧结Ni Zn软磁铁氧体材料,研究了掺杂Co2O3、Cu O、Bi2O3、V2O5、Si O2等对材料烧结温度及主要磁性能如磁导率、功耗等的影响。结果表明,Bi2O3对降低材料烧结温度有益但对功耗改善无益,Si O2对功耗改善有益但效果不明显,而组合添加0.15mol%Co2O3、9.0mol%Cu O、0.400.50wt%V2O5不仅可达到大幅度降低材料功率损耗,改善功耗特性,而且可保证材料低温烧结和其它优良磁性能,并获得具有低温烧结(烧结温度900℃左右)、低功耗(功率损耗Pcv≤300k W/m3(20℃,1MHz,30m T))、适于LTCF工艺和片式功率器件应用的Ni Zn功率铁氧体材料。
关键词:NiZn功率铁氧体;掺杂;低温烧结;功耗;