桑色素功能化碳纳米管修饰电极对多巴胺与抗坏血酸的电化学行为研究
来源期刊：材料工程2008年第10期
论文作者：夏延致 张菲菲 王宗花 孙锡泉
关键词：桑色素; 碳纳米管; 修饰电极; 多巴胺; 抗坏血酸;
摘 要：通过电聚合的方法构置了桑色素功能化碳纳米管修饰电极(morin/MWNTs/GCE),以多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)为模型化合物,考察了该修饰电极的电催化作用与机理.结果表明:DA与AA在Morin/MWNTs/GCE上的峰电流比裸电极、碳纳米管修饰电极明显增大,氧化峰电位差达210 mV,可实现多巴胺的灵敏测定.AA存在下,DA在1.0×10-7～5.0×10-4mol/L浓度范围内与峰电流有良好的线性关系,方法检出限2.0×10-8mol/L.
夏延致1，张菲菲1，王宗花1，孙锡泉1
(1.青岛大学纤维新材料与现代纺织实验室,国家重点实验室培育基地,山东,青岛,266071)
摘要:通过电聚合的方法构置了桑色素功能化碳纳米管修饰电极(morin/MWNTs/GCE),以多巴胺(DA)和抗坏血酸(AA)为模型化合物,考察了该修饰电极的电催化作用与机理.结果表明:DA与AA在Morin/MWNTs/GCE上的峰电流比裸电极、碳纳米管修饰电极明显增大,氧化峰电位差达210 mV,可实现多巴胺的灵敏测定.AA存在下,DA在1.0×10-7～5.0×10-4mol/L浓度范围内与峰电流有良好的线性关系,方法检出限2.0×10-8mol/L.
关键词:桑色素; 碳纳米管; 修饰电极; 多巴胺; 抗坏血酸;
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