CSS法制备CdZnTe薄膜时衬底温度的影响规律
来源期刊:功能材料2011年第5期
论文作者:袁妍妍 介万奇 高俊宁 査钢强
文章页码:890 - 893
关键词:CdZnTe薄膜;近空间升华法;太阳能电池;形貌;结构;
摘 要:采用近空间升华法(close-spaced sublima-tion,CSS),以CdZnTe化合物粉料为原料制备了CdZnTe薄膜,采用XRD、SEM、紫外光谱仪等对其进行了性能表征,并研究了不同生长温度对薄膜生长速率、结构、Zn含量和光学特性的影响规律。研究结果表明,薄膜的生长速率随着生长温度的升高而增大,且温度>528℃时生长速率迅速增大;不同温度下制备的CdZnTe薄膜结构均为立方相,且都表现出沿(111)晶面的择优生长,高温时择优取向更强一些;晶粒尺寸随着温度升高而增大,在438℃时颗粒尺寸约为1μm,而568℃时约为20μm;薄膜禁带宽度受温度影响不大,在1.49~1.51eV之间。
袁妍妍,介万奇,高俊宁,査钢强
西北工业大学凝固技术国家重点实验室
摘 要:采用近空间升华法(close-spaced sublima-tion,CSS),以CdZnTe化合物粉料为原料制备了CdZnTe薄膜,采用XRD、SEM、紫外光谱仪等对其进行了性能表征,并研究了不同生长温度对薄膜生长速率、结构、Zn含量和光学特性的影响规律。研究结果表明,薄膜的生长速率随着生长温度的升高而增大,且温度>528℃时生长速率迅速增大;不同温度下制备的CdZnTe薄膜结构均为立方相,且都表现出沿(111)晶面的择优生长,高温时择优取向更强一些;晶粒尺寸随着温度升高而增大,在438℃时颗粒尺寸约为1μm,而568℃时约为20μm;薄膜禁带宽度受温度影响不大,在1.49~1.51eV之间。
关键词:CdZnTe薄膜;近空间升华法;太阳能电池;形貌;结构;