氮化硅ν_Si-N伸缩振动的衰减全反射红外光谱研究

王维¹，隋丽丽²，李中秋³，李永¹，于宏伟³

1. 齐齐哈尔大学轻工与纺织学院2. 齐齐哈尔大学化学与化学工程学院3. 石家庄学院化工学院

摘 要：采用变温傅里叶变换衰减全反射红外光谱法（ATR-FTIR）,在313³93K温度范围内,分别研究了α-氮化硅和β-氮化硅分子结构的红外一维光谱、红外二阶导数光谱和红外四阶导数光谱,并针对氮化硅Si-N伸缩振动,利用二维相关红外光谱考察了温度变化对氮化硅分子结构的影响。结果表明:在波数950⁸50cm^-1范围内,氮化硅主要存在着Si-N伸缩振动模式（νSi-N）。随着测定温度的升高,α-氮化硅νSi-N红外吸收强度的变化顺序为874cm^-1>886cm^-1>880cm^-1,而β-氮化硅νSi-N红外吸收强度的变化顺序为876cm^-1>880cm^-1>890cm^-1。

关键词：二维红外光谱;α-氮化硅;β-氮化硅;热变性;