高Tc铋层状压电陶瓷结构与性能
来源期刊：无机材料学报2000年第2期
论文作者：李承恩 周家光 朱为民 晏海学
关键词：铋层状结构; 性能; 居里点; bismuth layer-structured; properties; curie temperature;
摘 要：综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究. 铋层状压电陶瓷的结构由(Bi2O2)2+层和钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)2-按一定规则共生排列而成. 此处A为适合于12配位的离子; B 为适合于八面体配位的离子，m为一整数，其值一般为1～5. 与钛酸钡(BaTiO3)或锆钛酸铅(PZT)陶瓷相比，铋层状压电陶瓷具有以下特点：低介电常数、高T c、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等. 先前研究证明，居里温度不仅与极化原子位移、自发极化强度、A位Bi含量有关，而且还与取代离子的特性诸如离子半径、电负性、核外电子排布有关. 压电活性低是铋层状陶瓷的本质缺点，通常发展该材料的途径为化学取代或晶粒取向技术. 研究材料结构与性能之间的关系有助于发展铋层状压电陶瓷材料.
李承恩1，周家光1，朱为民1，晏海学1
(1.中国科学院上海硅酸盐研究所, 上海 200050)
摘要:综述了铋层状压电陶瓷的结构特点及性能研究. 铋层状压电陶瓷的结构由(Bi2O2)2+层和钙钛矿层(Am-1BmO3m+1)2-按一定规则共生排列而成. 此处A为适合于12配位的离子; B 为适合于八面体配位的离子，m为一整数，其值一般为1～5. 与钛酸钡(BaTiO3)或锆钛酸铅(PZT)陶瓷相比，铋层状压电陶瓷具有以下特点：低介电常数、高T c、机电耦合系数各向异性明显、低老化率、高电阻率等. 先前研究证明，居里温度不仅与极化原子位移、自发极化强度、A位Bi含量有关，而且还与取代离子的特性诸如离子半径、电负性、核外电子排布有关. 压电活性低是铋层状陶瓷的本质缺点，通常发展该材料的途径为化学取代或晶粒取向技术. 研究材料结构与性能之间的关系有助于发展铋层状压电陶瓷材料.
关键词:铋层状结构; 性能; 居里点; bismuth layer-structured; properties; curie temperature;
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