Sr2Si5N8-δCx:Eu2+碳氮化物荧光粉的制备及发光性能研究
来源期刊：中国稀土学报2018年第4期
论文作者：李彦峰 陈磊 周小芳 刘元红 杜甫 刘荣辉 庄卫东
文章页码：417 - 421
关键词：Sr2Si5N8-δCx:Eu2+;碳氮化物;荧光粉;热猝灭;
摘 要：采用高温固相法成功制备了Sr2Si5N8-δCx:Eu2+碳氮化物荧光粉,并研究了Si-C替代Si-N对晶体结构和发光性能的影响。XRD结果表明,部分Si-C替代Si-N并未改变荧光粉的晶体结构,C4-替代N3-最大掺杂量不超过x=1.2。荧光光谱结果表明,荧光粉的激发和发射光谱并未随着x值增加而发生偏移,意味着Si-C替代Si-N对Eu2+周围晶体场环境影响较小;当x=0.3时,荧光粉的发光强度达到最大,随着x值进一步增大,样品结晶性变差,导致其发光强度降低。荧光粉热猝灭性能结果表明,适量的Si-C替代Si-N能够提升样品的热猝灭性能;热猝灭性能提升机制主要采用离子半径错配模型进行解释。
李彦峰，陈磊，周小芳，刘元红，杜甫，刘荣辉，庄卫东
北京有色金属研究总院稀土材料国家工程中心有研稀土新材料股份有限公司
摘 要：采用高温固相法成功制备了Sr2Si5N8-δCx:Eu2+碳氮化物荧光粉,并研究了Si-C替代Si-N对晶体结构和发光性能的影响。XRD结果表明,部分Si-C替代Si-N并未改变荧光粉的晶体结构,C4-替代N3-最大掺杂量不超过x=1.2。荧光光谱结果表明,荧光粉的激发和发射光谱并未随着x值增加而发生偏移,意味着Si-C替代Si-N对Eu2+周围晶体场环境影响较小;当x=0.3时,荧光粉的发光强度达到最大,随着x值进一步增大,样品结晶性变差,导致其发光强度降低。荧光粉热猝灭性能结果表明,适量的Si-C替代Si-N能够提升样品的热猝灭性能;热猝灭性能提升机制主要采用离子半径错配模型进行解释。
关键词：Sr2Si5N8-δCx:Eu2+;碳氮化物;荧光粉;热猝灭;
