注氮剂量对SIMON材料性能影响的研究
来源期刊：功能材料与器件学报2004年第4期
论文作者：金波 易万兵 张恩霞 张国强 陈猛 王曦 张正选 孙佳胤 陈静
关键词：氧氮共注; 氮氧共注隔离; SIMON; SOI; 注入剂量;
摘 要：采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较低 时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层 的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素.
金波1，易万兵1，张恩霞1，张国强3，陈猛1，王曦1，张正选1，孙佳胤1，陈静1
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039;
3.中国科学院半导体研究所,北京,100083)
摘要:采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较低 时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层 的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素.
关键词:氧氮共注; 氮氧共注隔离; SIMON; SOI; 注入剂量;
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