图形化的衬底电极改善碳纳米管的场发射特性
来源期刊:功能材料2008年第4期
论文作者:缪国庆 陈雷锋 金亿鑫 魏燕燕 曹连振 李志明 吕文辉 郭万国 蒋红 赵海峰 宋航
关键词:碳纳米管; 场发射; 图形化的衬底电极; 两级场放大;
摘 要:用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电场的两级放大.采用图形化衬底电极去制备碳纳米管阴极是改善碳纳米管场发射特性的一个简单、有效途径.
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摘要:用电泳法将碳纳米管分别淀积到图形的和平面的ITO(铟锡氧化物)电极上作为场发射阴极并比较性的研究了它们的场发射特性.实验结果显示,相对于平面的衬底电极,斑条的ITO电极能够有效的改善碳纳米管的场发射特性.通过电场的数值计算,场发射特性的改善起源于斑条的ITO电极自身的表面电场增强引起了碳纳米管表面电场的两级放大.采用图形化衬底电极去制备碳纳米管阴极是改善碳纳米管场发射特性的一个简单、有效途径.
关键词:碳纳米管; 场发射; 图形化的衬底电极; 两级场放大;
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