hBN层厚对MoS₂/hBN异质结纳米晶体管光电特性的影响

来源期刊：功能材料与器件学报2020年第2期

论文作者：李海霞 毛凌锋

文章页码：131 - 136

关键词：第一性原理计算;六方氮化硼;二硫化钼;范德华异质结;

摘    要：采用第一性原理方法研究了单层二硫化钼（MoS₂）在1到7层六方氮化硼（hBN）衬底上构成的垂直范德华异质结的电子结构的精细演变过程,并对其光电特性进行了分析。不仅计算了hBN层数改变对异质结光学性质影响基础上,还进一步研究了hBN层数改变对单层MoS₂光学性质的影响,最后计算了hBN层数改变对异质结势垒的影响。计算结果表明,MoS₂/hBN范德华异质结作为栅介质构造的MoS₂ FET,可以借助二维半导体hBN层数的改变来调控其性质。研究结果为新一代基于MoS₂的场效应晶体管和光电探测器的研发提供必要的理论基础。