CdSiP2晶体中光散射颗粒的研究
来源期刊：无机材料学报2014年第8期
论文作者：张国栋 李春龙 王善朋 张翔 张西霞 陶绪堂
文章页码：855 - 858
关键词：磷硅镉;非线性光学晶体;晶体缺陷;垂直布里奇曼法;
摘 要：采用单温区法合成了CdSiP2(CSP)多晶原料,然后采用垂直布里奇曼法生长了大尺寸的CSP单晶。采用扫描电子显微镜、EDS对晶体中光散射颗粒的尺寸、形貌和成分进行了观察和检测。测试结果表明,所生长的CSP晶体中的光散射颗粒呈近椭圆形,尺寸为2~8μm,主要成分为Si,含量占88%以上。对CSP多晶合成的反应机理研究表明,此第二相颗粒是由于合成时多晶料中残留有少量未反应的Si单质所致。通过合成工艺的改进,有效地减少了晶体中Si散射颗粒的残留,制备出了高透明性的CSP单晶体。
张国栋1,2，李春龙1,2，王善朋1,2，张翔1,2，张西霞1,2，陶绪堂1,2
1. 山东大学晶体材料国家重点实验室2. 山东大学晶体材料研究所
摘 要：采用单温区法合成了CdSiP2(CSP)多晶原料,然后采用垂直布里奇曼法生长了大尺寸的CSP单晶。采用扫描电子显微镜、EDS对晶体中光散射颗粒的尺寸、形貌和成分进行了观察和检测。测试结果表明,所生长的CSP晶体中的光散射颗粒呈近椭圆形,尺寸为2~8μm,主要成分为Si,含量占88%以上。对CSP多晶合成的反应机理研究表明,此第二相颗粒是由于合成时多晶料中残留有少量未反应的Si单质所致。通过合成工艺的改进,有效地减少了晶体中Si散射颗粒的残留,制备出了高透明性的CSP单晶体。
关键词：磷硅镉;非线性光学晶体;晶体缺陷;垂直布里奇曼法;
