SiO2/Si上直流磁控反应溅射制备AIN薄膜
来源期刊：材料科学与工程学报2007年第1期
论文作者：范克彬 王立春 熊斌 沈伟东
关键词：氮化铝薄膜; 正交设计; 溅射参数; 择优取向;
摘 要：利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AIN薄膜的(002)择优取向的影响水平.利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的A1N薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250C,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大.具有择优取向的AIN薄膜的折射率约为2.06.
范克彬1，王立春1，熊斌1，沈伟东3
(1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,传感技术国家重点实验室,上海,200050;
2.中国科学院研究生院,北京,100039;
3.浙江大学,现代光学仪器国家重点实验室,浙江,杭州,310027)
摘要:利用正交设计分析了直流磁控溅射中溅射气压,衬底温度和N2浓度对SiO2/Si衬底上制备的AIN薄膜的(002)择优取向的影响水平.利用X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)对薄膜的晶向和表面形貌进行了分析,得到制备高度择优取向的A1N薄膜的最佳期望条件:衬底温度为250C,溅射气压为2Pa,N2浓度为75%;并得出了氮气浓度对薄膜的(002)择优取向的影响较大.具有择优取向的AIN薄膜的折射率约为2.06.
关键词:氮化铝薄膜; 正交设计; 溅射参数; 择优取向;
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