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飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究

来源期刊:无机材料学报2007年第3期

论文作者:杨光 陆培祥 郑启光 周幼华 杨义发

关键词:β-FeSi2; 飞秒; 脉冲激光沉积法(PLD); 光致发光;

摘    要:采用飞秒脉冲激光沉积法在Si(100)和Si(111)单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射(XRD),场扫描电镜(FESEM),能谱仪(EDX),傅立叶红外拉曼谱仪(FTRIS)研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能.观察到了β-FeSi2在Si单晶基片上的生长与晶面取向有关的证据,并在室温(20℃)下观测到β-FeSi2薄膜的光致发光,其发光波长为1.53μm;在氩离子514nm激光的激发下,在192.0和243.9cm-1等位置观察到β-FeSi2的拉曼散射峰.

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飞秒激光沉积β-FeSi2/Si半导体膜及光学性能研究

杨光1,陆培祥1,郑启光1,周幼华1,杨义发1

(1.华中科技大学,激光技术国家重点实验室,武汉,430074;
2.江汉大学,物理与信息工程学院,武汉,430056)

摘要:采用飞秒脉冲激光沉积法在Si(100)和Si(111)单晶基片上制备了均匀的单相β-FeSi2薄膜;用X射线衍射(XRD),场扫描电镜(FESEM),能谱仪(EDX),傅立叶红外拉曼谱仪(FTRIS)研究了薄膜的结构、组分、表面形貌和光学性能.观察到了β-FeSi2在Si单晶基片上的生长与晶面取向有关的证据,并在室温(20℃)下观测到β-FeSi2薄膜的光致发光,其发光波长为1.53μm;在氩离子514nm激光的激发下,在192.0和243.9cm-1等位置观察到β-FeSi2的拉曼散射峰.

关键词:β-FeSi2; 飞秒; 脉冲激光沉积法(PLD); 光致发光;

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