脉冲电压沉积制备金属Ni纳米线阵列及磁性能
来源期刊：功能材料2008年第9期
论文作者：李春忠 胡彦杰 姜海波
关键词：多孔氧化铝膜; 纳米线; 矩形比; 矫顽力;
摘 要：以硫酸溶液为电解质,采用两步电化学阳极氧化法制备了氧化铝有序多孔膜,孔径为20nm,孔间距为50nm左右,孔洞密度为4.5×1010个/cm2.以此多孔膜为模板,以脉冲信号为沉积电压制备了金属Ni纳米线阵列,单根纳米线直径为15～20nm,择优取向为Ni(220)晶面.磁滞回线结果表明垂直于膜面的方向为易磁化方向,当磁场垂直于膜面时,矩形比高达90.5%,矫顽力为63.84kA/m.
李春忠1，胡彦杰1，姜海波1
(1.华东理工大学,材料科学与工程学院,超细材料制备与应用教育部重点实验室,上海,200237)
摘要:以硫酸溶液为电解质,采用两步电化学阳极氧化法制备了氧化铝有序多孔膜,孔径为20nm,孔间距为50nm左右,孔洞密度为4.5×1010个/cm2.以此多孔膜为模板,以脉冲信号为沉积电压制备了金属Ni纳米线阵列,单根纳米线直径为15～20nm,择优取向为Ni(220)晶面.磁滞回线结果表明垂直于膜面的方向为易磁化方向,当磁场垂直于膜面时,矩形比高达90.5%,矫顽力为63.84kA/m.
关键词:多孔氧化铝膜; 纳米线; 矩形比; 矫顽力;
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