二甲基二氯化锡前驱体CVD制备SnO₂∶F薄膜及其性能研究

陈峰¹，张振华^2,3，赵会峰^2,3，鲍思权¹，姜宏^1,2,3

1. 海南大学海南省特种玻璃重点实验室2. 海南中航特玻材料有限公司特种玻璃国家重点实验室3. 海南中航特玻科技有限公司

摘 要：采用二甲基二氯化锡（DMTC）为新前驱体,通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备SnO₂∶F透明导电薄膜,研究了DMTC、TFA和H₂O的含量对薄膜结构及光电性能的影响,研究表明当F/Sn物质的量比为1∶1、H2O/Sn物质的量比为3∶2时,制备出可见光透过率84.17%、方块电阻9.2Ω/□且结晶性能良好的多晶SnO₂薄膜。通过与单丁基三氯化锡（MBTC）为前驱体所制备薄膜的性能进行比较,结果表明,两种前驱体所制备薄膜均具有四方金红石结构,利用DMTC不仅可以制备出与MBTC性能相近的薄膜,同时薄膜表面更加均匀。

关键词：二甲基二氯化锡;化学气相沉积法;SnO2∶F薄膜;