低温退火对InAsSb材料结构特性的影响
来源期刊：稀有金属材料与工程2009年增刊第2期
论文作者：李美成 刘晓明 赵连城 李洪涛
关键词：XPS; InAsSb; 扩散; XPS; InAsSb; diffusion;
摘 要：用分子束外延(MBE)方法生长了InAsSb/InSb多量子阱结构,并对其进行250 ℃、8 h的退火.采用X射线光电子能谱(XPS),通过Ar离子刻蚀对样品退火前后进行了深度分析,研究退火对In、As、Sb 3种元素价态和纵向元素浓度分布的影响.结果表明,长时间低温退火增强了表面氧化,促使As和Sb元素发生次层原子向表层的扩散和样品内部该两种元素的扩散.
李美成1，刘晓明1，赵连城1，李洪涛1
(1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001)
摘要:用分子束外延(MBE)方法生长了InAsSb/InSb多量子阱结构,并对其进行250 ℃、8 h的退火.采用X射线光电子能谱(XPS),通过Ar离子刻蚀对样品退火前后进行了深度分析,研究退火对In、As、Sb 3种元素价态和纵向元素浓度分布的影响.结果表明,长时间低温退火增强了表面氧化,促使As和Sb元素发生次层原子向表层的扩散和样品内部该两种元素的扩散.
关键词:XPS; InAsSb; 扩散; XPS; InAsSb; diffusion;
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