Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的低压化学气相外延生长与表征
来源期刊：功能材料2007年第8期
论文作者：傅竹西 顾玉宗 苏剑峰 李银丽 王科范 郑海务
关键词：Si; 6H-SiC; 化学气相沉积; 微结构;
摘 要：在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜.低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体.X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性.扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成.拉曼光谱和透射电子衍射谱的结果进一步表明该薄膜具有较高的结晶质量.对Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的生长机制进行了初步探讨.
傅竹西1，顾玉宗2，苏剑峰1，李银丽2，王科范2，郑海务2
(1.中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026;
2.河南大学,物理与电子学院,微系统物理研究所,河南,开封,475001)
摘要:在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜.低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体.X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性.扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成.拉曼光谱和透射电子衍射谱的结果进一步表明该薄膜具有较高的结晶质量.对Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的生长机制进行了初步探讨.
关键词:Si; 6H-SiC; 化学气相沉积; 微结构;
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