Si/C/N晶须的微波介电性能
来源期刊：复合材料学报2003年第4期
论文作者：罗发 焦桓 周万城
关键词：Si/C/N; 抗氧化性; 复介电常数; 吸波材料; 吸波机理;
摘 要：研究了Si/C/N纳米晶须的制备、组成和微波介电性能.利用CVD法制备了化学组成一定的纳米Si/C/N晶须,XRD研究发现晶须的物相主要为β-SiC.热重分析表明该晶须在700 ℃以上开始氧化,具有较好的抗氧化性.测定了Si/C/N晶须的复介电常数与作用频率的关系,并计算了介电损耗角正切.依据介电性能数据,分别设计了单层和双层吸波材料,对所设计材料的吸波性能进行了计算.对Si/C/N纳米晶须的吸波机理进行了初步的探讨.
罗发1，焦桓1，周万城1
(1.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,西安,710072)
摘要:研究了Si/C/N纳米晶须的制备、组成和微波介电性能.利用CVD法制备了化学组成一定的纳米Si/C/N晶须,XRD研究发现晶须的物相主要为β-SiC.热重分析表明该晶须在700 ℃以上开始氧化,具有较好的抗氧化性.测定了Si/C/N晶须的复介电常数与作用频率的关系,并计算了介电损耗角正切.依据介电性能数据,分别设计了单层和双层吸波材料,对所设计材料的吸波性能进行了计算.对Si/C/N纳米晶须的吸波机理进行了初步的探讨.
关键词:Si/C/N; 抗氧化性; 复介电常数; 吸波材料; 吸波机理;
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