氧气氛退火对磁控溅射Ta2O5薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响
来源期刊：北方工业大学学报2007年第3期
论文作者：马志伟 米仪琳 张铭 王波 严辉
文章页码：58 - 61
关键词：磁控溅射;Ta2O5;结构;表面形貌;电学性能;退火;
摘 要：本文采用磁控溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了退火前、500℃氧气氛退火半小时之后、800℃氧气氛退火半小时之后的Ta2O5薄膜的结构、表面形貌及电学性能.退火前和500℃退火的薄膜均为非晶薄膜,但500℃退火之后能使非晶薄膜结构更加致密,表面更加平整,并且给薄膜进行了补氧,提高了薄膜的绝缘性能.800℃退火之后的薄膜出现了结晶颗粒,晶界引起了大的漏电流,使薄膜的绝缘性能下降.
马志伟，米仪琳，张铭，王波，严辉
摘 要：本文采用磁控溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了退火前、500℃氧气氛退火半小时之后、800℃氧气氛退火半小时之后的Ta2O5薄膜的结构、表面形貌及电学性能.退火前和500℃退火的薄膜均为非晶薄膜,但500℃退火之后能使非晶薄膜结构更加致密,表面更加平整,并且给薄膜进行了补氧,提高了薄膜的绝缘性能.800℃退火之后的薄膜出现了结晶颗粒,晶界引起了大的漏电流,使薄膜的绝缘性能下降.
关键词：磁控溅射;Ta2O5;结构;表面形貌;电学性能;退火;
