模具自由曲面变轨迹抛光技术研究
来源期刊:兵器材料科学与工程2017年第3期
论文作者:张国亮 马长捷 陈竹 祁玫丹
文章页码:1 - 6
关键词:变轨迹抛光技术;弹性抛光轮工具;去除函数;抛光轨迹均匀性;
摘 要:针对模具自由曲面抛光效率低、磨粒抛光轨迹均匀性差的问题,提出一种变轨迹弹性抛光轮技术。介绍了弹性抛光轮工具的工作原理与机械结构设计,以Preston方程结合赫兹接触理论为指导,对抛光接触区内的压力分布、速度分布和磨粒抛光轨迹均匀性进行研究,建立抛光工具的材料去除模型。基于运动学模型,利用Matlab对弹性抛光轮工具在不同转速比下的抛光轨迹进行仿真,并根据均匀性评价标准对仿真结果进行对比分析。结果表明:转速比对磨粒抛光轨迹均匀性有重要影响,在下压量为0.5 mm、抛光接触圆直径为5 mm、公转3周时,转速比为10.645 751的CV值比转速比为10时降低了32%;当转速比趋于无理数时,抛光轨迹均匀性明显优于整数转速比,去除函数更加饱满。
吴晓君,马长捷,陈竹,祁玫丹
西安建筑科技大学机电工程学院
摘 要:针对模具自由曲面抛光效率低、磨粒抛光轨迹均匀性差的问题,提出一种变轨迹弹性抛光轮技术。介绍了弹性抛光轮工具的工作原理与机械结构设计,以Preston方程结合赫兹接触理论为指导,对抛光接触区内的压力分布、速度分布和磨粒抛光轨迹均匀性进行研究,建立抛光工具的材料去除模型。基于运动学模型,利用Matlab对弹性抛光轮工具在不同转速比下的抛光轨迹进行仿真,并根据均匀性评价标准对仿真结果进行对比分析。结果表明:转速比对磨粒抛光轨迹均匀性有重要影响,在下压量为0.5 mm、抛光接触圆直径为5 mm、公转3周时,转速比为10.645 751的CV值比转速比为10时降低了32%;当转速比趋于无理数时,抛光轨迹均匀性明显优于整数转速比,去除函数更加饱满。
关键词:变轨迹抛光技术;弹性抛光轮工具;去除函数;抛光轨迹均匀性;