微型NiFe磁性薄膜元件中Neel畴壁极性的转变过程
来源期刊：金属学报2000年第4期
论文作者：魏福林 余晋岳 蔡炳初 禹金强 周狄 俞爱斌 朱军
关键词：磁性薄膜元件; 反磁化; 磁畴; Neel畴壁;
摘 要：观察和分析了300 μm×40 μm×40 nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Nct)的N+→Nct→N-间接转变)进行了分析讨论.N-往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展.N+→Nct的转变是通过N+壁的数次分裂来实现的.
魏福林1，余晋岳2，蔡炳初2，禹金强2，周狄2，俞爱斌2，朱军2
(1.兰州大学磁性材料研究所国家教育部应用磁学重点实验室,兰州,730000;
2.上海交通大学信息存储研究中心国家教育部薄膜与微细技术重点实验室,上海,200030)
摘要:观察和分析了300 μm×40 μm×40 nm的NiFe磁性薄膜元件在难轴方向反磁化时磁畴结构转变,特别是Neel畴壁从正极性壁(N+)转变为负极性壁(N-)的全过程.磁畴结构的转变包含畴壁合并、封闭畴转变、钩形畴转变及Neel畴壁极性转变等不可逆因素.对畴壁极性转变的两种方式(即N+→N-直接转变及经由十字壁(Nct)的N+→Nct→N-间接转变)进行了分析讨论.N-往往在元件末端新生封闭畴和正极性主畴壁的连结点成核,然后向中间扩展.N+→Nct的转变是通过N+壁的数次分裂来实现的.
关键词:磁性薄膜元件; 反磁化; 磁畴; Neel畴壁;
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